在推動無碳社會及永續發展議題持續發酵的過程中，「產品如何能更節能?」「如何再提升效率?」「如何能夠小型化?」等，相信是所有電源廠商在研發時會面臨到的幾個關鍵課題。由於處理大功率設備的功率損耗尤為顯著，相關製造商正在積極採取對策措施加快節能步伐。對於電源應用而言，如果能夠使元件高頻工作，不僅能節能，還可以實現電路小型化，因此電源市場商已開始計畫於產品中搭載可實現高速開關的GaN（氮化鎵）元件。
ROHM擁有多年電源產品研發經驗，近年更以寬能隙半導體GaN產品線，提供客戶中低壓功率元件更多的選擇。超低導通電阻加上優異的高速開關性能，絕對值得您深入瞭解。
⭐技術亮點：
介紹ROHM 650V耐壓GaN HEMT，可以大幅降低開關損耗，進一步提高電源系統效率，有助週邊元件小型化。
🎙️演講嘉賓：
羅姆半導體台灣技術中心 資深工程師 - Stuwart Su 蘇建榮
經歷：1995年〜2005年在IC Design House負責IC設計開發相關工作，2005年進入羅姆半導體台灣設計中心負責Discrete元件技術支援及應用。擁有超過20年以上的半導體產業相關工作經驗。
本次重點精華：
00:05 Comparison of power devices structure
02:35 The physical properties of GaN HEMT
03:22 Contact us!
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